爐內暖場對硅碳棒的的影響：           （1）潮濕自然氣體的作用：硅碳棒能在溫度（1600℃）、潮濕的自然氣體中長期利用，電阻器遲緩擴大。o2（O2）與SiC在溫度時發生了現象，提取二腐蝕硅（SiO2）。鑒于硅碳棒外表面變成了一層層SiO2確保膜，所以說硅碳棒擁有太強的抗腐蝕性。      （2）水水氣的的影響：水水氣（H2O）在1100℃時與SiC再次發生過強化學反響反響，轉成Si、SiO2和C。硅碳棒面上會出現波浪紋，電阻器成長快速沒多久便。      （3）氫氣（N2）的導致：當硅碳棒表面層溫度因素達標1400℃時，N2就與SiC遭受響應，導出氮化硅，使硅碳棒的電阻器值明顯增速。      （4）氯氣（H2）的不良影響：在1250℃時，H2與SiC遭受體現，提取二氧化氮（CH4）,破碎SiC發高燒體。     （5）氫氧化鈉（NH3）的決定：NH3在持續高溫時可拆分成成N2和H2。故采用水溫應控住在1250℃下面。      （6）二硫化硫（SO2）的影晌：SO2在1300℃與SiC反應，故運行溫度應控制在1300℃這。      （7）余氯（Cl2）的會影響：Cl2在600℃時會與SiC發生的發應，在1200℃時，Cl2會把硅碳棒溶解。4、 SiC與酸洗（HCL）、硝酸銀鈉（H2SO4）在高的溫度時不發生生物反應。濃磷酸（H3PO4）在250℃時與SiC發生反應，轉化成二空氣陽極氧化碳（O2）、甲烷氣體（CH4）、二空氣陽極氧化碳（CO2）和二空氣陽極氧化硅（SiO2）。濃硝酸銀（HNO3）與氫佛酸（HF）的分層物在恒溫下能溶解度SiC。